Статья "Принципы создания магнитной памяти нового поколени..."
Наименование статьи | Принципы создания магнитной памяти нового поколения |
---|---|
Страницы | 973 |
Аннотация | Одним из существенных достижений в развитии информационных технологий стало увеличение емкости и уменьшение размеров носителей информации. В заслушанном на одном из заседаний Президиума РАН сообщении рассказывалось об особенностях многослойных магнитных структур и характерных для них фундаментальных эффектах, открытие которых сделало возможным этот технологический прорыв, а также о современных исследованиях, направленных на дальнейшее совершенствование технологии считывания и записи информации. В центре внимания авторов – создание магниторезистивной памяти с записью электрическим током. |
Журнал | Вестник РАН |
Номер выпуска | 11 |
Автор(ы) | Морозов А. И., Сигов А. С. |