Статья "Принципы создания магнитной памяти нового поколени..."

Наименование статьиПринципы создания магнитной памяти нового поколения
Страницы973
АннотацияОдним из существенных достижений в развитии информационных технологий стало увеличение емкости и уменьшение размеров носителей информации. В заслушанном на одном из заседаний Президиума РАН сообщении рассказывалось об особенностях многослойных магнитных структур и характерных для них фундаментальных эффектах, открытие которых сделало возможным этот технологический прорыв, а также о современных исследованиях, направленных на дальнейшее совершенствование технологии считывания и записи информации. В центре внимания авторов – создание магниторезистивной памяти с записью электрическим током.
ЖурналВестник РАН
Номер выпуска11
Автор(ы)Морозов А. И., Сигов А. С.