| Аннотация | В эпоху информационных технологий туннельные явления стали важной областью физики твёрдого тела. Специфика динамики электронов в кристаллах наряду с крайней чувствительностью вероятности туннелирования к параметрам как самой частицы, так и барьера существенно отличают междузонное туннелирование от привычной картины прохождения через потенциальный барьер. А вскоре после создания лазеров выяснилось, что туннельный эффект является также определяющим механизмом взаимодействия мощного электромагнитного излучения с атомами, молекулами, твёрдыми телами. Объединяющим для этих двух, казалось бы, разных групп явлений служит их критическая зависимость от временной динамики процесса туннелирования. В докладе рассказывается об истории развития этих представлений и их применении для описания зависимости параметров междузонного туннельного эффекта от структуры электронного спектра кристалла, тфитической роли взаимодействия электронов с фононами, влияния туннельного эффекта на оптические спектры поглощения кристаллов. Показано также, как при изменении интенсивности или частоты переменного внешнего поля процессы многофотонного поглощения плавно преобразуются в туннельный эффект. |
|---|
| Ключевые слова | туннельный эффект, многофотонтше процессы, динамическое туннелирование, диод Эсаки, туннелирование с участием фононов, время туннелирования, электропоглощение, эффект Франца—Келдыша |
|---|