Статья "Влияние температурных режимов хранения семян сосны..."
Наименование статьи | Влияние температурных режимов хранения семян сосны и ели на всхожесть и зараженность патогенными грибами |
---|---|
Страницы | 157 |
Аннотация | Актуальность. Одним из путей решения проблемы сохранения генофонда лесообразующих видов является сохранение качественного семенного материала ex situ. Результаты исследований могут быть использованы в областях науки, связанных с лесным семеноводством и лесной фитопатологией. Материалы и методы. Исследовали семена, относящиеся к ортодоксальному типу – Рinus sylvestris L. и Picea abies (L.) Karst. разных лет заготовки (1996–2011 гг.), заложенные на хранение в 2011 г. при разных температурных режимах: +20°С, +4°С, –18°С и в парах жидкого азота (–182°С). Перед закладкой образцы семян были подсушены до влажности 4,2–4,4% и герметично упакованы. Всхожесть семян определяли перед закладкой на хранение, спустя 3 года, 5 и 8 лет. Определены зараженность семян и состав патогенных грибов. Результаты. За восьмилетний срок хранения при температуре +20°С потеря всхожести семян сосны и ели, в зависимости от партии и года заготовки, составила от 13 до 60%. Хранение при –18°С и –182°С препятствует заражению и позволяет максимально сохранить посевные качества семян. В большинстве случаев энергия прорастания и всхожесть отрицательно коррелировали с уровнем зараженности семян. Биоразнообразие патогенных (плесневых) грибов на поверхности семян установлено на уровне 10 родов; наиболее часто встречаются: Aspergillus P. Micheli, Penicillium Link, Rhizopus Ehrenb., Scopulariopsis Bainier. Заключение. Показана успешность хранения семян при режимах низких и сверхнизких температур. Условия криоконсервации рекомендуются для долгосрочного хранения селекционно улучшенных и ценных семян. |
Ключевые слова | низкотемпературное хранение, криоконсервация, хвойные породы, качество семян, патогенная микобиота |
Журнал | Труды по прикладной ботанике, генетике и селекции |
Номер выпуска | 1 |
Автор(ы) | Николаева М. А., Варенцова Е. Ю., Сафина Г. Ф. |